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Super Junção Mosfet 700v

Nós dominamos MOSFET de trincheira profunda e superjunção Multi-EPI
tecnologia e possui um portfólio de produtos bastante abrangente. Super
as especificações do produto MOSFET de junção cobrem 500 V-1200V, 2A-99A.
Somos o primeiro MOSFET de superjunção produzido em massa nacional
com uma tensão suportável superior a 1000 V e possui 600 V/16,5 mΩ
produtos como Rdson ultrabaixo e introduziu inovadores
pacote de isolamento, SOT-223-2L, PDFN8X8 e outros produtos de embalagem.

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Descrição

Super Junction MOSFET 700V (SJ MOSFET 700V) ‌ é uma tecnologia especial de

Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico. Ele foi projetado para resolver

problema que a resistência dos MOSFETs tradicionais aumenta quando a classificação

a tensão é aumentada. Para MOSFETs SJ de 700 V, esta tecnologia é particularmente adequada

para aplicações

exigindo alta tensão e baixa perda. Por exemplo, em aplicações de topologia flyback,

a família 700V SJ MOSFET oferece ganhos de eficiência de até 4% e temperatura do dispositivo

reduções de até 16 graus. Em comparação com a tecnologia anterior de 650 V, a eficiência

é aumentado em 2,4% e a temperatura do dispositivo é reduzida em 12 graus. Segmentado em

mercados de baixo consumo de energia, como carregadores de celulares e adaptadores de notebook, LED

iluminação, dispositivos de entretenimento doméstico e fontes de alimentação auxiliares, esta tecnologia

oferece uma vantagem competitiva em termos de custos com baixas perdas de comutação, excelente

desempenho e recursos de comutação de alta velocidade.
Além disso, a otimização dos MOSFETs SJ também inclui avanços no processo

tecnologia, como tecnologia de gravação em sulco profundo e a realização de carga

correspondência, o que melhora muito o desempenho e a confiabilidade dos MOSFETs SJ.

Por exemplo, a tecnologia de sobrejunção de segunda geração (SJ II) da Versine melhorou

o desempenho do dispositivo (Ron*A) em cerca de 30% em comparação com a primeira geração

tecnologia, mostrando forte competitividade ‌.

WMF05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	SOT-223-2L	700	1.55	5.4	5	30	3.5
WMP05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-251	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMO05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-252	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WML05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	1.55	5.4	23	30	3.5
WMK05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMN05N70MM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	1.55	5.4	42	30	3.5
WMK08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.93	5.5	46	30	3
WML08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.93	5.5	26	30	3
WMM08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.93	5.5	46	30	3
WMN08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.93	5.5	46	30	3
WMO08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-252	700	0.93	5.5	46	30	3
WMP08N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-251	700	0.93	5.5	46	30	3
WMK10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.6	8	63	30	3
WML10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.6	8	28	30	3
WMM10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.6	8	63	30	3
WMN10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.6	8	63	30	3
WMO10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-252	700	0.6	8	63	30	3
WMP10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-251	700	0.6	8	63	30	3
WMU10N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220FNL	700	0.6	8	28	30	3
WMK13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.39	11	85	30	3
WML13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.39	11	31	30	3
WMM13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.39	11	85	30	3
WMN13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.39	11	85	30	3
WMO13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-252	700	0.39	11	85	30	3
WMP13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-251	700	0.39	11	85	30	3
WMU13N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220FNL	700	0.39	11	31	30	3
WMK18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.28	16	125	30	3
WML18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.28	16	34	30	3
WMM18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.28	16	125	30	3
WMN18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.28	16	125	30	3
WMO18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-252	700	0.28	16	125	30	3
WMP18N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-251	700	0.28	16	125	30	3
WMK25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.19	22	147	30	3
WML25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.19	22	34	30	3
WMM25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.19	22	147	30	3
WMN25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.19	22	147	30	3
WMJ25N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-247	700	0.19	22	147	30	3
WMK30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220	700	0.16	27	210	30	3
WML30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-220F	700	0.16	27	34	30	3
WMM30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-263	700	0.16	27	210	30	3
WMN30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-262	700	0.16	27	210	30	3
WMJ30N70EM	Canal N SJ-MOS EM	PARA-247	700	0.16	27	210	30	3
WMK07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220	700	1.14	5	42	30	3
WML07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220F	700	1.14	5	23	30	3
WMM07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-263	700	1.14	5	42	30	3
WMN07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-262	700	1.14	5	42	30	3
WMO07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	1.14	5	42	30	3
WMP07N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-251	700	1.14	5	42	30	3
WMK08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220	700	0.78	6	45	30	3
WML08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220F	700	0.78	6	26	30	3
WMM08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-263	700	0.78	6	45	30	3
WMN08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-262	700	0.78	6	45	30	3
WMO08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	0.78	6	45	30	3
WMP08N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-251	700	0.78	6	45	30	3
WMK10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220	700	0.6	8	57	30	3
WML10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220F	700	0.6	8	27	30	3
WMM10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-263	700	0.6	8	57	30	3
WMN10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-262	700	0.6	8	57	30	3
WMO10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	0.6	8	57	30	3
WMP10N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-251	700	0.6	8	57	30	3
WMK14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220	700	0.38	11	85	30	3
WML14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220F	700	0.38	11	31	30	3
WMM14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-263	700	0.38	11	85	30	3
WMN14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-262	700	0.38	11	85	30	3
WMO14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	0.38	11	85	30	3
WMP14N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-251	700	0.38	11	85	30	3
WMK15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-220F	700	0.32	13	31	30	3
WMM15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-263	700	0.32	13	86	30	3
WMN15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-262	700	0.32	13	86	30	3
WMO15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	0.32	13	86	30	3
WMP15N70C4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-251	700	0.32	13	86	30	3
WML15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-220F	700	0.395	12	31	30	3.5
WMO15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-252	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-252	700	0.62	9	63	20	3.5
WML11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220F	700	0.62	9	28	20	3.5
WMK11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220	700	0.62	9	63	20	3.5
WMM11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-263	700	0.62	9	63	20	3.5
WMN11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-262	700	0.62	9	63	20	3.5
WMP11N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-251	700	0.62	9	63	20	3.5
WMK15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-220	700	0.395	12	86	30	3.5
WMM15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-263	700	0.395	12	86	30	3.5
WMN15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-262	700	0.395	12	86	30	3.5
WMP15N70C2	Canal N SJ-MOS C2	PARA-251	700	0.395	12	86	30	3.5
WMO16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-252	700	0.36	14	86	20	3.5
WML16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220F	700	0.36	14	31	20	3.5
WMK16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220	700	0.36	14	86	20	3.5
WMM16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-263	700	0.36	14	86	20	3.5
WMN16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-262	700	0.36	14	86	20	3.5
WMP16N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-251	700	0.36	14	86	20	3.5
WML26N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220F	700	0.205	20	34	20	3.5
WMK26N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-220	700	0.205	20	147	20	3.5
WMM26N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-263	700	0.205	20	147	20	3.5
WMN26N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-262	700	0.205	20	147	20	3.5
WMJ26N70SR	Canal N SJ-MOS SR	PARA-247	700	0.205	20	147	20	3.5
WMO08N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	0.93	5	38	20	3
WMO04N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	2.8	2.8	30	20	3
WMO07N70PC4	Canal N SJ-MOS C4	PARA-252	700	1.38	4	35	20	3